10.3969/j.issn.1004-4507.2015.06.005
用于硅片清洗高浓度臭氧水产生设备研制
由于高浓度臭氧水的氧化电位高达 2.07 V、反应速率常数高达2.2×106 L/(m ol·s),因而臭氧水具有无选择性快速(几秒钟)氧化分解有机污染;并能在几分钟时间内完成硅片清洗、光刻、刻蚀和成膜. 采用强电场电离放电把氧离解成高浓度O 3,再用强激励溶解方法把高浓度臭氧溶解于水中形成高浓度臭氧水,臭氧水浓度达到34.2 m g/L ,满足了硅片清洗所要求的浓度≥30 m g/L. 分别阐述了强电离放电规模制取高浓度臭氧水溶液方法;强激励溶解高浓度臭氧的理论基础;形成臭氧水溶液的工艺系统及其应用举例.
产生臭氧水设备、强电离放电、臭氧水溶液、硅片清洗应用
TN304.05(半导体技术)
国家自然科学基金资助项目61371027;交通运输部科技项目2012-329-225-080;辽宁省科学研究一般项目L2012449;大连市科技计划项目2013E12SF067
2015-08-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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