10.3969/j.issn.1004-4507.2015.02.001
大直径重掺硅单晶工艺研究
重掺单晶一些独有的特性，能有效解决目前集成电路面临的一些难题。对大直径重掺硅单晶生长过程中的一些工艺进行了研究，主要包括掺杂方式和拉速设定两个方面，通过实验分析，选取了适宜的掺杂方式与拉速，最终生长出外形良好，符合电阻率目标要求的单晶。
硅单晶、重掺磷、掺杂、拉速
TN304.055(半导体技术)
2015-04-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
1-3,30
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