10.3969/j.issn.1004-4507.2014.10.003
磁控溅射ITO薄膜结构和性能的研究
利用中频脉冲磁控溅射工艺制备ITO薄膜，研究了在衬靶间距为60mm、衬底温度为350℃、溅射功率为120W、溅射气压为0.2Pa的条件下，氧氩比(O2/Ar)、溅射时间对ITO薄膜表面形貌、膜厚、沉积速率及光电性能的影响。通过实验和分析，最终确定了在玻璃衬底上制备ITO薄膜的最佳氧氩比和溅射时间：氧氩比为0.4：40，溅射时间为45min，获得了方阻为2.55Ω/□,电阻率为1.46×10-4Ω·cm ，可见光范围内平均透过率为81.2%的薄膜。
ITO 薄膜、氧氩比、溅射时间
TN304.055(半导体技术)
2014-11-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
8-13
