10.3969/j.issn.1004-4507.2014.10.002
游离磨粒切割法和金刚石线切割法切割SiC的对比
通过采用镀铜钢线配合游离磨粒切割法和金刚石线与砂浆配合切割法对SiC 晶锭分别进行切割试验，在对比两种方法的切割效果基础上，探讨两种切割方法对SiC 晶片表面质量和弯曲度的作用和效果，并对比两种方法的优点。通过探讨总结出镀铜钢线配合游离磨粒切割法切割出的SiC 晶片表面质量较好，但用时较长，适用于小型实验；金刚石线与砂浆配合切割法切割出的SiC 晶片几何参数更好且稳定，且加工效率较高，适用于大型生产。
多线切割机、SiC 晶锭、游离磨粒、金刚石切割线
TN305.1(半导体技术)
2014-11-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
5-7,13
