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10.3969/j.issn.1004-4507.2014.09.004

太阳能级单晶炉热场的适应性改造研究

引用
在JRDL-900型太阳能级单晶炉上安装自行设计的350mm(14英寸)密闭式热场,替换原有的500mm(20英寸)热场,使该单晶炉具备了半导体级75~150mm(3~6英寸)常用硅单晶的生长条件。根据单晶炉实际情况,重新设定了单晶生长控制程序,实现半导体级硅单晶等径生长自动控制。在拉晶实验过程中,发现并解决了影响单晶生长的设备和技术问题,成功实现了半导体级100mm(4英寸)硅单晶的生长,对单晶成品的相应参数测试表明,使用该类太阳能级单晶炉,通过炉体和热场的改进,能够实现半导体级产品的生产,可有效利用闲置设备和资源,并为今后该类型的大规模改造和生产奠定了技术基础。

太阳能级单晶炉、密闭式热场、半导体级硅单晶

TF806(有色金属冶炼)

2014-10-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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1004-4507

62-1077/TN

2014,(9)

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