10.3969/j.issn.1004-4507.2014.08.003
直拉区熔联合法硅单晶生长技术研究
通过直拉工艺生长直径60 mm的N型〈100〉单晶,之后以该单晶作为原料,采用区熔工艺生长成50mm(2英寸)N型〈111〉单晶,单晶的电阻率为2.71～5.35Ω·cm,少子寿命为500～750 μs,氧碳含量均低于1×16 cm-3.实验表明,通过直拉工艺和区熔工艺联合方式研制的低阻硅单晶具有电阻率控制准确、氧碳含量低、工艺易于实施等特点.同时,对直拉区熔联合法生长单晶的技术特点进行了探讨.
直拉、区熔、硅单晶、电阻率
TN304.053(半导体技术)
2014-10-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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