10.3969/j.issn.1004-4507.2014.04.001
高性能IGBT激光退火设备及其量产应用
激光退火工艺可以有效修复离子注入破坏的晶格结构，获得比传统退火方式更好的离子激活效率和激活深度，且不损伤T aiko硅片的正面器件，从而在FS-IG B T 器件的制造过程中得到业界的广泛关注和应用。针对FS-IG B T 激光退火工艺的特点，通过对退火深度、激光波长、光斑尺寸，以及Taiko薄片传输等技术的深入分析和数值仿真，完成了SLA 500激光退火设备的研制，并通过现场测试数据验证。测试结果表明，SLA 500激光退火设备的各项关键技术指标，如退火深度、激活效率、RS 均匀性和重复性等，均能满足FS-IGBT 激光退火工艺的量产应用。
激光退火、绝缘栅双极型晶体管、T aiko硅片
TN304.05(半导体技术)
2014-11-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共7页
1-7
