10.3969/j.issn.1004-4507.2013.11.002
多线切割加工中单晶硅片晶向影响关系研究
单晶硅片的晶向是大规模集成电路衬底材料的一个重要参数.硅片的晶向是根据单晶的生长晶向以一定的角度粘结固定到多线切割机的工作台上切割实现的.但是在实际粘结操作过程中,单晶棒易滑移导致角度产生偏差从而影响到加工后的硅片晶向超差而报废.为了明确粘结角度偏差对切割后硅片晶向的影响关系,在产生误差的情况下做出科学正确的判断,对粘结角度的计算原理进行了推导,得出了单晶棒X-ray定向仪的计算原理.在此基础上,对粘结产生的角度误差对晶向的影响关系进行了理论推导,得出了它们之间的明确影响关系的函数关系.此函数关系表明,粘结过程的角度误差对硅片晶向的影响是复杂的反三角函数关系,必须通过实际计算才能确定其大小.通过此函数关系,可以明确的确定单晶棒粘结的角度偏差对硅片晶向的影响,为科学的现场判断提供了理论依据,能有效的服务于生产实际.
单晶、硅片、晶向、多线切割、单晶棒
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TN305.1(半导体技术)
2014-03-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
4-7,18
