10.3969/j.issn.1004-4507.2013.09.001
Si1-xGex单晶用热系统改进
阐述了对原GaAs单晶拉制用LEC单晶炉热系统进行改造使其适于Si1-xGex单晶生长的过程.借助数值模拟的方法分析了晶体生长区域内的温度分布情况,并通过分析发现了原有热系统的不足.重新对原热系统进行了改造,添加了起到保温和氩气导流作用的热屏和上保温装置,使原来的敞开式热场变为密闭式热场,满足了Si1-xGex单晶拉制的要求.通过具体实验和数值模拟结合,分析了氩气流场及不同流场对晶体生长的影响,发现并改进了单晶炉的氩气供给装置存在的问题.
数值模拟、Si1-xGex单晶、热屏、氩气流场
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TN304.9(半导体技术)
天津市自然科学基金10JCYBJC01000
2014-01-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
1-4,38
