10.3969/j.issn.1004-4507.2012.12.003
LED蓝宝石图形化衬底的研究进展及发展趋势
图形化蓝宝石衬底作为GaN基LED照明外延衬底材料，由于其能降低GaN外延薄膜的线位错密度和提高LED的光萃取效率的显著性能在近几年来引起国内外许多科研机构和厂商的广泛兴趣。从衬底的制备工艺、图形尺寸角度出发，综述了图形化蓝宝石衬底GaN基LED的研究进展，并对其未来在大功率照明市场的应用进行了展望。
图形化蓝宝石衬底、氮化镓(GaN)、LED、刻蚀
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TN304.2(半导体技术)
2013-02-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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