10.3969/j.issn.1004-4507.2012.10.010
区熔单晶生长过程中高频线圈形变篚原因分析及理论计算
主要针对高频线圈于单晶生长过程中，在高频电流及棒体的高温作用下，产生的附加扭矩，改变线圈的设计外形，进行了原因研究、理论计算，并对单晶生长的影响进行了分析。通过采取适当的措施，降低由于线圈的形变对单晶的影响，提高单晶的成晶率。
高频线圈、附加扭矩、区熔单晶
41
TN304.053(半导体技术)
2012-12-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共3页
40-42
