10.3969/j.issn.1004-4507.2012.08.003
单晶炉密闭式热场改造研究
在CG6000型单晶炉原350 mm（14英寸）敞开式热场上添加具有保温和导流作用的热屏装置,并改进计算机自动控制参数,解决了原敞开式热场下硅单晶拉制过程中产生扭曲变形的问题,生长出了外形完好,高质量的〈111〉晶向75～80 mm（3英寸和4英寸）硅单晶。同时对敞开式热场下硅单晶棒体扭曲变形的原因及热屏装置对硅单晶生长区域温度分布和温度梯度的影响进行了分析和探讨。
单晶炉、热屏装置、密闭式热场、棒体扭曲变形
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TN304.12;TN304.053(半导体技术)
2012-11-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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