宏力半导体宣布成功建立国内首个0．18μm
上海宏力半导体制造有限公司（以下简称“宏力半导体”），专注于差异化技术的半导体制造领先企业，宣布成功建立国内首个0．18μm“超低漏电”（Ultra—Low-Leakage，ULL）嵌入式闪存工艺平台。
半导体制造、国内、宏、嵌入式闪存、差异化、漏电
41
TN305(半导体技术)
2012-10-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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半导体制造、国内、宏、嵌入式闪存、差异化、漏电
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TN305(半导体技术)
2012-10-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号：2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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