10.3969/j.issn.1004-4507.2011.09.003
生长系统对高阻区熔硅单晶径向电阻率变化的影响
分别采用L4375-ZE区熔炉和CFG/1400P区熔炉,生长了N型、（1.5～4.5）×103Ω.cm和P型、（1.0～5.0）×104Ω.cm两种规格的高阻区熔硅单晶,单晶的直径为52～54 mm,晶向为〈111〉。经对单晶的电阻率及其径向分布进行检测对比后发现,在加热线圈几何结构（包括上下表面角度、内径尺寸及台阶设计）基本相同、单晶生长速率相同且上、下晶轴旋转具有相同配置的情况下,不同的单晶生长系统所生长的单晶,其电阻率径向均匀性有明显差异,用L4575-ZE区熔炉生长的单晶的电阻率径向分布更均匀。
区熔炉、高阻、硅单晶、电阻率径向分布
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TN304.05(半导体技术)
2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
11-13,38
