10.3969/j.issn.1004-4507.2011.07.005
多结太阳电池用P型锗单晶片去蜡技术研究
在多结太阳电池结构中,P型锗单晶片不仅作为衬底,也是整体电池结构中的一个结。在外延生长过程中,需要进行多次异质外延生长,因此,对P型锗单晶片的表面质量提出了更高的要求。通过对P型锗片去蜡技术的研究,提高了锗片表面质量,降低了外延生长过程中雾缺陷的比例。
锗、清洗技术、去蜡技术、多结太阳电池
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TN305.97(半导体技术)
2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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