10.3969/j.issn.1004-4507.2011.06.008
LPCVD制备二氧化硅薄膜工艺研究
采用TEOS源LPCVD法制备了SiO2薄膜,采用膜厚仪对薄膜的厚度进行测试.通过不同条件下SiO2薄膜的厚度变化,讨论了TEOS源温度、反应压力及反应温度等工艺条件对淀积速率和均匀性的影响.结果表明,在40℃,50 Pa左右,淀积速率随TEOS源温度、反应压力基本呈线性增大.通过多次试验改进,提出了SiO2膜淀积的典型工艺条件.
TEOS源、LPCVD、淀积速率、均匀性
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TN304.055(半导体技术)
2011-12-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
24-26,56
