10.3969/j.issn.1004-4507.2010.11.004
VB-GaAs单晶中掺Si浓度的控制
低阻GaAs单晶的获得,一般是通过掺入掺杂剂Si来实现的.本文分析了VB-GaAs单晶的掺Si机理及作用,并在理论掺杂公式的基础上,通过实验和理论分析,确定了掺杂剂量的经验关系式.按此公式,在VB-GaAs单晶中得到了理想的掺Si浓度.
VB-GaAs单晶、掺杂剂、浓度
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TN305.3(半导体技术)
2011-03-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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