EUV掩膜版的等离子刻蚀法
@@ 随着集成电路制造技术的进步,尽管CD已经接近物理和理论极限,其继续减小的趋势依旧延续着.无论如何,目前的光刻技术将在未来的几年之内达到极限,下一代使用更短波长的光刻技术即将进入人们的视线.
掩膜版、等离子、光刻技术、制造技术、理论极限、集成电路、短波长、物理、视线
39
TN2;TP2
2011-01-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共2页
56,60
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掩膜版、等离子、光刻技术、制造技术、理论极限、集成电路、短波长、物理、视线
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TN2;TP2
2011-01-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号：2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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