10.3969/j.issn.1004-4507.2010.08.002
宽禁带半导体材料技术
宽禁带半导体材料是一种新型材料,具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高等特点,非常适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成电子器件;利用其特有的禁带宽度,还可以制作蓝光、绿光、紫外光器件和光探测器件,能够适应更为苛刻的生存和工作环境.在宽禁带半导体材料中,具有代表性的是碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、金刚石以及氧化锌(ZnO),综合叙述了这些材料的特性、发展现状和趋势;并介绍了SiC、GaN、ZnO材料的应用情况和代表性器件的研究进展.
宽禁带、半导体、材料、研究进展
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TN304.05(半导体技术)
2010-11-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共7页
5-10,56
