10.3969/j.issn.1004-4507.2010.05.007
磨削工艺对Ge单晶抛光片的影响
因磨削工艺不同导致Ge单晶片表面粗糙度出现很大差异,并最终影响抛光速率、抛光片的表面质量及抛光片时间依赖性雾的形成.粗糙度大的磨削片,初始抛光速率快,但抛光片达到镜面所需时间却延长.在抛光后的去蜡工序中,粗糙度大的Ge片其表面更容易粘附蜡液而导致表面质量下降.检验合格的抛光片在存储过程中表面出现时间依赖性雾,分析了时间依赖性雾的形成原因是由于粗糙的背表面更容易存储水份和有机溶剂.要提高抛光片的质量必须控制磨削片的粗糙度.
磨削、粗糙度、化学机械抛光(CMP)、抛光速率、时间雾
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TN305.2(半导体技术)
2010-08-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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