10.3969/j.issn.1004-4507.2010.04.003
前栅工艺下高k/金属栅CMOS器件EOT控制技术研究
随着CMOS器件特征尺寸的不断缩小,绝缘栅介质层也按照等比例缩小的原则变得越来越薄,由此而产生的栅漏电流增大和可靠性降低等问题变得越来越严重.传统的SiO2栅介质材料已不能满足CMOS器件进一步缩小的需要,而利用高介电常数栅介质(高后)取代SiO2已成为必然趋势.而在前栅工艺下,SiO2界面层生长问题严重制约了EOT的缩小以及器件性能的提升.介绍了一种前栅工艺下的高后/金属栅结构CMOS器件EOT控制技术,并成功验证了Al元素对SiO2界面层的氧吸除作用.
高k栅介质、EOT、前栅工艺、氧吸除
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TN405(微电子学、集成电路（IC）)
2010-05-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共7页
7-12,20
