10.3969/j.issn.1004-4507.2010.03.005
高k栅介质/金属栅结构CMOS器件的等效氧化层厚度控制技术
随着CMOS器件特征尺寸的不断缩小,绝缘栅介质层也按照等比例缩小的原则变得越来越薄,由此而产生的栅漏电流增大和可靠性降低等问题变得越来越严重.传统的SiO2栅介质材料已不能满足CMOS器件进一步缩小的需要,而利用高介电常数栅介质(高k)取代SiO2已成为必然趋势.综述了国内外对纳米尺度CMOS器件高k栅介质的等效氧化层厚度(EOT)控制技术的一些最新研究成果,并结合作者自身的工作介绍了EOT缩小的动因、方法和展望.
高k栅介质、等效氧化层厚度(EOT)、金属栅、氧吸除
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TN405(微电子学、集成电路（IC）)
2010-05-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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