10.3969/j.issn.1004-4507.2010.02.001
22 nm光刻技术前景
在国际半导体技术蓝图(ITRS)指点定的22 nm节点中[1],该产业将在两种竞争的光刻解决方案中进行选择,这将取决于其产品的发展路线图.在某些情况下,业界甚至可能会同时使用两种方案.这两种竞争方案就是极紫外光刻技术(EUVL)和32 nm节点由193 nm浸没式双重图形光刻(DPL)扩展到多图形的光刻技术.讨论了两种技术,比较了两种技术所需的关键解决方案的现状,以及存在的挑战.
22nm节点、解决方案、极紫外光刻、双重图形光刻、多图形光刻
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TN305.7(半导体技术)
2010-04-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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