10.3969/j.issn.1004-4507.2010.01.008
一种新型离子束刻蚀装置的研制
介绍了一种新型离子束刻蚀装置.该装置具有如下特点:工件台可进行二维运动,带有自动挡板机构和独立的测束装置,中国电子科技集团公司第四十八研究所研制的平行束离子源,以及分子泵加机械泵的真空系统.工艺试验结果表明,该设备是一台先进的半导体工艺设备,性能稳定.刻蚀均匀性可达±4%.
离子束、刻蚀、均匀性
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TN305.7(半导体技术)
2010-04-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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