10.3969/j.issn.1004-4507.2009.04.007
化学机械抛光过程优化研究
根据承载器与抛光台的转速、浆料中微粒尺寸及下压力对抛光工艺的影响进行统计分析.特别是工艺中的抛光去除率、金属碟形缺陷和层间介质的侵蚀作为输出结果的主要参考因素.采用3水平3因数的实验方案,结合信噪比方式对数据进行处理,使用田口玄一法进行数据的加工.从形成的3参数3水平对输出结果影响的3子图上,获取最优的工艺参数组合.选取根据经验的常用参数组合作为参照.发现新的优化方式能够提高10%的去除率,降低15%的碟形缺陷和侵蚀.显著的改善抛光质量.
化学机械平坦化、去除率、碟形缺陷、侵蚀、下压力、颗粒尺寸
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TN305.2(半导体技术)
2009-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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