10.3969/j.issn.1004-4507.2009.04.001
向商业化迈进的极紫外(EUV)光刻技术
在介绍EUV光刻原理和EUV光源基本概念的基础上,讨论了目前研究得最多、技术最成熟的激光产生的等离子体LPP光源,着重对EUV光源的初步应用和EUV光刻设备的开发进展情况进行了详细介绍与讨论.目前的研究进展表明,随着激光产生的等离子体EUV光源(LPP)功率的不断提高和EUV光刻设备的逐步成熟,极紫外(EUV)光刻技术将在2012年步入半导体产业的商业化生产.
极紫外光刻、激光等离子体光源、光刻设备、22nm技术节点、商业化生产
38
TN305.7(半导体技术)
2009-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共8页
1-7,43
