期刊专题

10.3969/j.issn.1004-4507.2009.03.003

大面积高分辨率光刻技术研究

引用
以NSR1755i7A型投影曝光机为基础.分析了影响大面积精细光刻图形分辨率的主要因素.利用表面平坦化技术、BARC工艺技术和PEB工艺技术,解决了高分辨率和聚焦深度的矛盾,消除了曝光过程中出现的表面反射和因驻波造成曝光图形边缘罗纹状的现象,实现了大面积(17.5mm×17.5mm)、高长宽比(160)、高密集(占空比36%)、高分辨率亚微米(0.5μm)精细线条光刻.同时提出了采用两次曝光技术在NSR1755i7A型投影曝光机上实现了厚胶高分辨率图形的制作.

NSR1755i7A型投影曝光机、大面积精细图形光刻、分辨率、聚焦深度、表面平坦化、BARC、PEB

38

TN305.7(半导体技术)

2009-05-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

11-14

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

电子工业专用设备

1004-4507

62-1077/TN

38

2009,38(3)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn

打开万方数据APP,体验更流畅