日益增多的工艺需求关注新的晶圆清洗方法
随着器件结构尺寸的缩小.在保持低材料损失的同时去除粒子正变得越来越难以实现.而且围绕材料和器件结构保持器件避免损伤、侵袭或以其他方式修改也日益困难,包括掺杂硅损失.低-k电介质k值的变化,金属栅极腐蚀,图形倒塌等等.在32 nm及以下节点,所有这些,将会更加严峻.因而,需要建立一个下一步如何进行晶圆清洗的转变模式.
除胶、金属栅清洗、单晶圆清洗、兆声清洗
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TN305.97(半导体技术)
2009-05-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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