10.3969/j.issn.1004-4507.2008.12.007
SiH2Cl2-NH3-N2体系LPCVD氮化硅薄膜生长工艺
以自行研制的LPCVD设备所进行的工艺试验为基础,简要介绍了Si3N4薄膜的制备方法和LPCVD法制备的Si3N4薄膜的特性以及低压化学气相淀积(LPCVD)氮化硅的工艺.通过调节淀积温度、工艺气体流量、工艺压力及片距等工艺参数,最终使批量生产的氮化硅薄膜在均匀性、应力、耐腐蚀等方面均达到了使用要求.
氮化硅薄膜、LPCVD、工艺温度、工艺压力、气体流量、均匀性
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TN305.5(半导体技术)
2009-03-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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