10.3969/j.issn.1004-4507.2008.12.006
硅片双面研磨加工技术研究
介绍了硅片双面研磨的目的,重点分析了不同工艺参数对硅片研磨速率及表面质量的影响.通过不同粒径磨料的对比试验,得出减小磨料粒径能够有效改善硅片表面质量.减小损伤层深度,为后道抛光工序去除量的减少提供了条件,并且对实际生产工艺具有指导意义.同时分析了助磨剂在提高硅片表面质量中的作用.
硅片、研磨、表面质量、助磨剂
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TN305.2(半导体技术)
2009-03-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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