10.3969/j.issn.1004-4507.2008.11.006
利用背景掺杂对SiC CVD系统总体泄漏程度评价方法研究
以各部分管道检漏达到低于1 × 10-10(Pa·m3)/s的SiC CVD为考察对象,通过分析SiC热壁式CVD设备中影响背景掺杂浓度的杂质来源和与之对应的硬件因素,对比在不同的真空条件下得到的外延层背景掺杂浓度变化趋势.并得到最低4×1013 cm-3的极低背景掺杂浓度.证明反应腔中的石墨,尤其是多孔石墨中吸附的大量氮气提供了作为背景掺杂的氮元素.定性得到系统整体漏率对背景掺杂无显著影响的结果.
SiC外延、hot-wall、真空、漏率、背景掺杂
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TN305.3(半导体技术)
2009-02-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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