10.3969/j.issn.1004-4507.2008.10.007
铜布线化学机械抛光的失效研究
分析了铜电连接在今后晶片制造中的主导作用,阐述了铜布线的结构,即在由钽作为阻挡层及采用电镀铜形成的电连接的情况下,抛光规律符合经典普莱斯顿方程:在粗抛磨料采用氧化铝,精抛配比采用武亚红提出的方案情况下,采用旋转式低速较大下压力情况下抛光,整个晶片依然存在较大的不均匀性.分析100 μm线宽的碟形缺陷会逐渐减小但最后会有少许增大.整个晶片的侵蚀会和其图案密度成正比,但在同种分布情况下,精抛时间越长,则侵蚀缺陷越大.最后指出了今后发展的高速底压力会显著解决当前不均匀性问题,但失效机制分析意义依然很重大.
铜、化学机械平坦化、钽、碟形缺陷、侵蚀
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TN305.2(半导体技术)
2009-01-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
43-45,55
