10.3969/j.issn.1004-4507.2008.06.007
CMP后的晶圆清洗过程研究
伴随着整个CMP工艺的进步,CMP后清洗工艺技术也日趋关键.分析了引起缺陷和玷污的因素、微粒去除的理论研究以及清洗的方案;在清洗方案中详细论述了机械去除、化学湿法去除和兆声去除;最后指出了新的技术及发展趋势.
CMP、zeta电位、后清洗、兆声清洗
37
TN305.97(半导体技术)
2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
28-32
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10.3969/j.issn.1004-4507.2008.06.007
CMP、zeta电位、后清洗、兆声清洗
37
TN305.97(半导体技术)
2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号：2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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