10.3969/j.issn.1004-4507.2008.05.006
低k电介质及其设备
低k电介质、Cu互连和CMP已成为90/65/45 nm芯片制造的标准工艺.90 nm工艺要求k=3.0～2.9,65 nm工艺要求k=2.8～2.7,45 nm工艺要求k=2.6～2.5,大多采用2.5多孔的低k电介质,如TI、台积电.对于22 nm工艺,可能采用碳纳米管(CNT)替代Cu互连.
多孔低k电介质、Cu互连、化学机械抛光、碳纳米管、设备
37
TN305(半导体技术)
2008-07-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共3页
28-30
