10.3969/j.issn.1004-4507.2008.02.004
双段式加热锗单晶生长设备的结构设计
锗单晶和锗单晶片是重要的半导体材料,锗单晶的生长广泛采用的是CZ(直拉)法,其主要结构包括底座及立柱装置、下传动装置、主炉室、插板阀、副炉室、籽晶提升旋转机构、液压驱动装置、真空系统、充气系统及水冷系统等.
锗单晶、双段式加热、单晶炉
37
TN806.9(无线电设备、电信设备)
2008-05-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
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10.3969/j.issn.1004-4507.2008.02.004
锗单晶、双段式加热、单晶炉
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TN806.9(无线电设备、电信设备)
2008-05-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号：2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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