10.3969/j.issn.1004-4507.2008.02.003
高k电介质及其设备
"2007年11月,英特尔量产高k电介质45 nm微处理器".它表明高k电介质/金属栅极技术已商业化.它可确保摩尔定律至少再延续10年.但是,ITRS2006修正版指出,高k电介质/金属栅极在低静态功耗(LSTP)逻辑IC的预期应用时间是2008年,高k电介质/金属栅极在高性能和低功耗(LOP)IC的预期应用时间是2010年.制造高k电介质的设备是化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)设备.制造金属栅极的设备是物理气相沉积(PVD)和ALD设备.
高k电介质、金属栅极、氧化铪、设备
37
TN304.055(半导体技术)
2008-05-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
7-10
