10.3969/j.issn.1004-4507.2008.02.002
ULSI制造中铜CMP抛光液研究
ULSI制造中的层间介质化学机械抛光的发展趋势和要求进行了讨论,分析了铜化学机械抛光的材料去除过程,讨论了酸性和碱性两种铜抛光液的组成和一些组分的功能,指出了今后抛光液的研究发展方向.
化学机械抛光、抛光液、铜
37
TN305.2(半导体技术)
2008-05-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
4-6,35
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10.3969/j.issn.1004-4507.2008.02.002
化学机械抛光、抛光液、铜
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TN305.2(半导体技术)
2008-05-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号：2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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