CMP工艺流程控制策略综述
化学机械抛光测量技术和测量技术随着其工艺重要性的日益提高越来越成熟.测量技术在所有类型的化学机械抛光工艺流程控制中扮演了一个重要的角色,并且可以根据所使用的测量技术、其在工艺流程中所处的位置以及类型和产生的数据量以不同的方法实现.本文述评并提出了一些从现场、延伸的现场、综合的测量技术、以及其对工艺流程控制影响所普遍应用的测量技术的例子.并且还提出了65 nm以及更小技术节点的测量技术以及工艺流程控制策略,在这些未来的技术中,晶片工艺控制以及每个晶圆片方法调整预计将更加苛刻.
化学机械抛光、测量技术、综合测量、CMP工艺控制趋势
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TN407(微电子学、集成电路（IC）)
2007-12-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共10页
1-9,13
