10.3969/j.issn.1004-4507.2007.08.012
芯片制造中因缺陷扫描由激光导致的损伤研究
在集成电路芯片制造中,激光被广泛应用于缺陷扫描或者相关的光学量测工具中.未见报道低功率的缺陷扫描时,输出功率仅数百毫瓦且扫描速度很快时,会对熔点达1 420℃上的硅芯片造成影响,在制造中以Compass为代表的缺陷扫描工具被广泛而无顾虑地应用在芯片制造中.然而通过在动态储存器制造中的一个低良率事件,介绍了缺陷扫描及动态储存器的基本原理,并指出在378 mW输出功率时,缺陷扫描能将电容表面硅重熔,导致电容结构被破坏.通过试验、计算指出输出功率≤100 mW是安全使用功率,为芯片制造业界提供了关于表面材料为硅、氧化硅、氮化硅使用指南,避免了因Compass为代表的缺陷扫描工具广泛应用带来的额外损伤,并为以后的芯片激光快速热处理研究提供了损伤研究依据.
激光、损伤、缺陷扫描、集成电路芯片制造
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TN247(光电子技术、激光技术)
2007-09-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
55-60
