C4NP-无铅倒装晶片焊凸形成生产工艺与可靠性数据
受控倒塌芯片连接新工艺是一种由IBM公司开发、由Suss MicroTec公司推向商品化的新型焊凸形成技术.受控倒塌芯片连接新工艺采用各种无铅焊料合金致力于解决现有的凸台.形成技术限定,使低成本小节距焊凸形成成为可能.受控倒塌芯片连接新工艺是一种焊球转移技术,熔焊料被注入预先制成并可重复使用的玻璃模板(模具).这种注满焊料的模具在焊料转入圆片之前先经过检查以确保高成品率.注满焊料的模具与圆片达到精确的接近后以与液态熔剂复杂性无关的简单工序转移在整个300 mm(或300 mm以下)圆片上.受控倒塌芯片连接新工艺技术能够在焊膏印刷中实现小节距凸台形成的同时提供相同合金选择的适应性.这种简单的受控倒塌芯片连接新工艺使低成本、高成品率以及快速封装周期的解决方法对于细节距FCiP以及WLCSP凸台形成均能适用.
倒装晶片封装、圆片级芯片尺寸封装、焊凸形成、焊球转移
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TN305.94(半导体技术)
2007-09-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共9页
45-53
