10.3969/j.issn.1004-4507.2007.04.004
193 nm ArF浸没式光刻技术PK EUV光刻技术
2006年11月英特尔决定采用193 nm ArF浸没式光刻技术研发32 nm工艺.2007年2月IBM决定在22 nm节点上抛弃EUV光刻技术,采用193 nm ArF浸没式光刻技术.对于32 nm/22nm工艺,193 nm ArF浸没式光刻技术优于EUV光刻技术,并将成为主流光刻技术.
32 nm工艺、22 nm工艺、193 nm ArF浸没式光刻技术、EUV光刻技术
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TN305.7(半导体技术)
2007-05-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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