10.3969/j.issn.1004-4507.2007.04.003
向32 nm迈进的光刻技术
概述了用于45 nm节点的各种光刻技术发展现状及技术路线,结合国际半导体技术发展指南(ITRS)和各公司最新宣布的研究成果,探讨了各种光刻技术用于32 nm节点的可能性.
浸液式光刻、折射率、双重曝光、极紫外光刻、纳米压印光刻、曝光设备
36
TN305.7(半导体技术)
2007-05-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共9页
8-16
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10.3969/j.issn.1004-4507.2007.04.003
浸液式光刻、折射率、双重曝光、极紫外光刻、纳米压印光刻、曝光设备
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TN305.7(半导体技术)
2007-05-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号：2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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