10.3969/j.issn.1004-4507.2007.04.002
半导体光刻设备、材料的新动向
@@ 1 曝光设备当前,在半导体器件生产中,用于65 nm制程的器件已进入量产,而用于45 nm制程也已成熟,即将进入量产期.
半导体器件生产、光刻设备、曝光设备
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TN7;TN3
2007-05-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共3页
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10.3969/j.issn.1004-4507.2007.04.002
半导体器件生产、光刻设备、曝光设备
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TN7;TN3
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号：2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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