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10.3969/j.issn.1004-4507.2007.01.004

基于单晶硅梁的静电RF MEMS开关

引用
RF MEMS开关是低功耗、低损耗高频通讯电路和系统的开关因具有零直流功耗、开关时间短、结构简单、易集成的优点而成为研究热点,但是驱动电压高、薄膜应力变形严重、寿命短等问题制约了其发展,提出了一种基于单晶硅梁的推拉式静电RFMEMS开关结构,能够解决静电RF MEMS现有的缺陷.

射频微机械开关、单晶硅梁、静电驱动

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TP271+.4(自动化技术及设备)

国家高技术研究发展计划863计划2005AA404210;中国科学院微电子所所长基金

2007-03-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

15-17,61

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电子工业专用设备

1004-4507

62-1077/TN

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2007,36(1)

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