10.3969/j.issn.1004-4507.2005.10.003
InP单晶材料现状与展望
介绍了制备InP单晶材料的主要方法,包括传统液封直拉技术(LEC)、改进的LEC技术、气压控制直拉技术(VCZ/PC-LEC)/垂直梯度凝固技术(VGF)/垂直布里奇曼技术(VB)等.对这些方法进行了分析和对比,指出各种方法的优势和发展方向.还讨论了大直径InP单晶生长技术的发展和关键因素.
液封直拉法、气压控制直拉法、垂直梯度凝固、单晶材料
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TN304.053(半导体技术)
国家自然科学基金60276008
2005-11-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
10-14,23
