晶圆干燥缺陷的机理与控制
长期以来,人们对于硅片在经过HF湿法处理之后出现的水印早已有所认识,尤其是图形包含亲水和疏水层时最为明显.我们系统地研究了经过HF后道处理之缺陷形成的机理,并确认了与先前报道的水印截然不同的缺陷类型.根据X射线和其它分析表明,认为这些缺陷与周围环境残余的汽相HF和随后的晶圆表面反应有关.根据反应腔室HF浓度的不同可以产生不同类型的缺陷.由于水印是由硅在水中的氧化和随后产生的氧化物的分解形成的,少量的HF具有加速这个过程的效果.形成不同缺陷的条件,还有避免这些缺陷的策略均得以认定.正确的排空管理是一个关键的因素.最后发现,重参杂的硅更易产生缺陷.
表面缺陷、水印、机理分析、缺陷控制
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TN305.97(半导体技术)
2005-08-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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