10.3969/j.issn.1004-4507.2005.07.004
向65nm工艺提升中的半导体清洗技术
由于器件尺寸由90nm技术节点向65nm节点的缩进,在前道工艺的湿法清洗中去除0.1μm及更小尺寸的污染粒子正在成为一种新的技术挑战.评价了在向65nm技术节点的迈进中,器件的新结构、新材料对于清洗设备提出的各种技术挑战及应对无损伤和抑制腐蚀损伤的清洗技术.指出了单片式清洗技术的应用前景及干法清洗与湿法清洗技术共存的可能性.
污染控制、圆片清洗、单圆片清洗、低k材料、高深宽比结构、CMP后清洗、干法清洗
34
TN305.97(半导体技术)
2005-08-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
15-17,55
