0.18μm铜金属双重镶嵌工艺中空间成像套刻精度分析
由于空间成像套刻(Overlay)技术的预算随集成电路(IC)设计规范的紧缩而吃紧,因此,Overlay测量技术准确度的重要意义也随之提高.通过对后开发(After Develop DI)阶段和后蚀刻(After Etch FI)阶段的Overlay测量结果进行比较,研究了0.18 μm设计规范下的铜金属双重镶嵌工艺过程中的Overlay准确度.在确保对同一个晶圆进行后开发(DI)阶段和后蚀刻(FI)阶段测试的条件下,我们对成品晶圆的5个工艺层进行了比较.此外,还利用CD-SEM(线宽-扫描电子显微镜)测量了某个工艺层(Poly Gate)上的芯片内Overlay,并与采用分割线方法的光学Overlay测量结果进行了比较.发现对芯片内overlay的校准存在着严重的局限性,即在应用CD-SEM时缺乏合适的结构进行Overlay测量.我们还将继续为大家提供定量的比较结果,同时也会向大家推荐组合的CD-SEM测量结构,使其能够被应用到今后的光刻设计中.
空间成像套刻、准确度、校准
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TN305.7(半导体技术)
2005-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共8页
15-21,72
