10.3969/j.issn.1004-4507.2005.02.003
采用双扫描平台技术的ArF浸液式光刻
在193 nm光刻中,已证明水是一种适于浸液式光刻的液体.浸液式光刻提出了一种可将传统的光学光刻拓展到45 nm节点,甚至到32 nm节点的潜能.另外,利用现有的透镜,浸液式光刻的选择提出了根据实际的数值孔径和特征图形可增大50%及更大的焦深范围.讨论了采用浸液式光刻获得的成像结果和套刻结果.采用一个0.75数值孔径的ArF透镜,我们用双扫描平台技术(TWINSCANTM组装一台浸液式扫描光刻机的原理型样机.最初的浸液式曝光实验数据证明了焦深的增加较大,同时以高扫描速度保持了图像的对比度.在初期引入的生产型浸液式光刻中,将采用一个0.85数值孔径的ArF透镜.该系统的分辨率将以大于0.5μm的焦深有效地支持65 nm节点半导体器件的加工.这种系统初始的成像技术数据证实有效的增大了其焦深范围.
193 nm、浸液式光刻、大数值孔径、双扫描平台
34
TN305.7(半导体技术)
2005-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共8页
7-14
