用于新一代器件的最新STI和金属CMP浆料
现已开发出了用于浅沟道隔离(STI)、铜CMP和低k介质的新型材料.90 nm以及下一代技术节点的新型器件要求在软接触CMP条件下减少缺陷率,改善片子表面形貌的衰减.获得的新材料展示了在CMP性能和街写特性方面的改进,因此这些材料被认为能够适应未来技术要求.这些材料的关键之处在于大颗粒尺寸的控制,进行平面化和金属抛光的化学控制以及将控制方法用于旋涂玻璃(SOG)材料.
浅沟道隔离、金属CMP、低k介质、CMP浆料、平坦化工艺
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TN305.3(半导体技术)
2004-07-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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